中国闪存卡行情（中国工商银行闪存卡存钱有利息吗）

本文目录

• 中国工商银行闪存卡存钱有利息吗
• 为什么中国造不出内存，闪存，硬盘
• 中国银行闪存卡在国外存外币国内可以取外币吗
• 让国内如此疯狂的 3D NAND闪存到底是个啥
• 闪存卡的中国闪存卡的发展
• 32G的TF卡哪个好
• 中国攻克最先进128层闪存：它到底强在哪何时能跟三星掰手腕

中国工商银行闪存卡存钱有利息吗

• 存钱有利息一，活期利率很低，几乎没有。

• 信用卡计息的利率，通常银行的利率是万分之五算，也可以是一万元一天五元。看似很低，但算起来绝不个小数。万分之五的日利率换算成年利率也就是0.0005*360=0.18,也就是年利率18%这已经和民间高利贷差不多了。通常银行会把信用卡利息按月计算复利，也就是把上个月的本金利息相加后再计算下个月利息。如此往后累计

为什么中国造不出内存，闪存，硬盘

你好!

1.   内存与闪存 我们国家是能造出来的，但没有人家的先进。

虽然技术上还有差距，但自主处理器、内存发展已经在努力追赶，这引发了行业巨头们的恐慌。

近日，合肥长鑫公司投资72亿美元建设的12英寸DRAM工厂已经开工，其月产能高达12.5万片晶圆，这样的产能表现与SK Hynix现在的差不多，与紫光在武汉的12英寸晶圆厂相比还有差距，后者产能预期规划是20万片/月。

不管你怎么看，国产内存正在快速发展，对于这样的情况，DRAM领域第四大厂商南亚科技总裁Lee Pei-Ing对外表示，大陆对存储芯片工厂的激进投资以及他们能否从关键的芯片厂商获得技术授权，这些情况会使目前健康的竞争状态转向残酷的竞争，可能带来失控及破坏性效果。

除了国产内存外，自主处理器也同样进展神速，国产14nm工艺已经攻克难关，将在明年投入量产，而国产14nm工艺已经攻克难关，将在明年投入量产。

2.  硬盘也有造出来过，但现在以没有了。

先说长城硬盘：不思上进

长城，对于中国人来说，不仅仅只是一座地标，在数码科技、汽车领域，这两字就像个金字招牌。我们耳熟能详的长城汽车、长城电脑、长城显示器、长城机电等，你是否知道，长城硬盘也曾经红极一时。

人民网在1999年曾经报道过题为《新中国档案：从3.5英寸软盘到网络存储》的文章，里面就有一句话，这样写道：

“1999年5月21日，一条振奋人心的消息传来。在当日开幕的全国计算机产品北京展览交易会上，长城集团推出了第一块中国自主生产的8.6GB高速硬盘。媒体欢呼，我国计算机核心零部件的制造技术终于获得了重大突破。”

可以，当时长城硬盘享有的国家地位。2000年的8月，正值计算机全面进入中国，长城硬盘伺机而动，正式上市，进入消费级市场。上市两个月之后，销量就突破50000块。然而好景不长，技术底子太薄，又盲目过分追求市场份额，忽略对品控的控制，随后质量事故频现。不少消费者发现，这硬盘一用就坏，投诉问题不断，长城硬盘招架不住了。

2001年，长城硬盘业务跟不上，技术跟不上，自主研发难度超乎想像。调整产品生产线，同时和国外的一些著名硬盘厂商开展合作，实则帮人家做代工，学不到核心的技术，缺乏市场竞争力。现在长城硬盘已经消失得无影无踪。

曾经的中国第一硬盘品牌：易拓

易拓，对于很多人来说，是一个非常陌生的品牌。但在成立于2001年的易拓，曾经在中国存储市场留下过一笔，虽然算不上浓墨重彩一笔。

中国易拓科技（ExcelStor）是中国迄今为止第一家拥有自主硬盘品牌的厂商，那时在发展中特区深圳拥有现代化的生产基地，并在海外设有硬盘研究中心和工程技术中心。

易拓科技的硬盘产品线，涵盖了移动硬盘、安全硬盘、网络存储、台式机硬盘、移动外置硬盘等等，其中最出名当属全球首创GStor系列，获得不少国外同行的盛赞。

其中消费级台式机硬盘代表就是木星系列硬盘。这一款产品在2002年推出，共有三种容量，40G、60G及80G，最大特点是采用了“高密度玻璃盘片技术”，这是IBM之外，第二家采用玻璃盘片的硬盘厂商。IBM玻璃盘片技术存在严重的技术缺陷，坏道频发，导致大量返修，易拓木星系列硬盘在市场上销量很惨淡。

2008年，易拓推出木星系列二代250G单碟容量ESJ9250-001S，是一款标准尺寸的3.5英寸SATA 3GB/s接口硬盘，应用了垂直磁记录技术的碟片，单碟容量为250GB。

产品是好，技术也相对成熟，性能不差，然而生不逢时，那时群雄并起，市场竞争趋于白热化，消费者早就认可洋品牌，国产硬盘产品线单一，难有立足空间，木星系列二代最终难逃流产。

易拓曾经辉煌一时，其网站上可以看到“中国第一硬盘”的自诩，还曾传出，“中国第一硬盘”易拓收购“全球第一硬盘”希捷。从早年引进IBM的生产线和技术，跟着IBM走，并推出自主品牌，后来代工日立硬盘，最终退出市场，不到十年的时候，易拓硬盘就走到尽头！

假如你们还在 也会像“龙芯”一样？

家用电脑刚刚在国内普及时，涌现一批国产硬盘厂商！但却成就不了Intel、三星这样核心配件制造提供商，只能诞生组建配件的硬件厂商。

“龙芯”研究十几年，至今不能应用到家用平台上，冷遭国人集体吐槽。硬盘厂商同样逃脱不了如此的命运。像长城硬盘，一开始自主研发，接着与外资合作推出自主品牌，后面做代工，直到最后退市，没留下多少记忆。

缺乏核心技术积累，缺乏科技人才，缺乏市场经验、缺乏企业“破釜沉舟”的决心等等，我们高科技核心技术要走的路太长太长了……

中国银行闪存卡在国外存外币国内可以取外币吗

1,取出来也是外币;没有好的外汇理财，有条件可以炒汇。2，有支持国内外日元存取国际借记卡。中国银行，其他日资银行。如果是持卡在国外存的（换句话说卡是在国外办的）那么不能取，只能去atm取人民币。如果你是国内办的卡带到了国外，那么是不能直接存款的，需要办理国际汇款业务。

让国内如此疯狂的 3D NAND闪存到底是个啥

什么是3D NAND闪存？从新闻到评测，我们对3D NAND闪存的报道已经非常多了，首先我们要搞懂什么是3D NAND闪存。从2D NAND到3D NAND就像平房到高楼大厦我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。3D NAND与2D NAND区别3D NAND闪存也不再是简单的平面内存堆栈，这只是其中的一种，还有VC垂直通道、VG垂直栅极等两种结构。3D NAND闪存有什么优势？在回答3D NAND闪存有什么优势的时候，我们先要了解平面NAND遇到什么问题了——NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC类型之分，为了进一步提高容量、降低成本，NAND的制程工艺也在不断进步，从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm，但NAND闪存跟处理器不一样，先进工艺虽然带来了更大的容量，但NAND闪存的制程工艺是双刃剑，容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降，因为工艺越先进，NAND的氧化层越薄，可靠性也越差，厂商就需要采取额外的手段来弥补，但这又会提高成本，以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。相比之下，3D NAND解决问题的思路就不一样了，为了提高NAND的容量、降低成本，厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了，转而堆叠更多的层数就可以了，这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了，比如东芝的15nm NAND容量密度为1.28Gb/mm2，而三星32层堆栈的3D NAND可以轻松达到1.87Gb/mm2，48层堆栈的则可以达到2.8Gb/mm2。3D NAND闪存在容量、速度、能效及可靠性上都有优势传统的平面NAND闪存现在还谈不上末路，主流工艺是15/16nm，但10/9nm节点很可能是平面NAND最后的机会了，而3D NAND闪存还会继续走下去，目前的堆栈层数不过32-48层，厂商们还在研发64层甚至更高层数的堆栈技术。四大NAND豪门的3D NAND闪存及特色在主要的NAND厂商中，三星最早量产了3D NAND，其他几家公司在3D NAND闪存量产上要落后三星至少2年时间，Intel、美光去年才推出3D NAND闪存，Intel本月初才发布了首款3D NAND闪存的SSD，不过主要是面向企业级市场的。这四大豪门的3D NAND闪存所用的技术不同，堆栈的层数也不一样，而Intel在常规3D NAND闪存之外还开发了新型的3D XPoint闪存，它跟目前的3D闪存有很大不同，属于杀手锏级产品，值得关注。四大NAND豪门的3D NAND闪存规格及特色上述3D NAND闪存中，由于厂商不一定公布很多技术细节，特别是很少提及具体的制程工艺，除了三星之外其他厂商的3D NAND闪存现在才开始推向市场，代表性产品也不足。三星：最早量产的V-NAND闪存三星是NAND闪存市场最强大的厂商，在3D NAND闪存上也是一路领先，他们最早在2013年就开始量产3D NAND闪存了。在3D NAND路线上，三星也研究过多种方案，最终量产的是VG垂直栅极结构的V-NAND闪存，目前已经发展了三代V-NAND技术，堆栈层数从之前的24层提高到了48层，TLC类型的3D NAND核心容量可达到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。三星最早量产了3D NAND闪存值得一提的是，三星在3D NAND闪存上领先不光是技术、资金的优势，他们首先选择了CTF电荷撷取闪存（charge trap flash，简称CTF）路线，相比传统的FG（Floating Gate，浮栅极）技术难度要小一些，这多少也帮助三星占了时间优势。有关V-NAND闪存的详细技术介绍可以参考之前的文章：NAND新时代起点，三星V-NAND技术详解东芝/闪迪：独辟蹊径的BiCS技术东芝是闪存技术的发明人，虽然现在的份额和产能被三星超越，不过东芝在NAND及技术领域依然非常强大，很早就投入3D NAND研发了，2007年他们独辟蹊径推出了BiCS技术的3D NAND——之前我们也提到了，2D NAND闪存简单堆栈是可以作出3D NAND闪存的，但制造工艺复杂，要求很高，而东芝的BiCS闪存是Bit Cost Scaling，强调的就是随NAND规模而降低成本，号称在所有3D NAND闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低，也意味着成本更低。东芝的BiCS技术3D NAND东芝和闪迪是战略合作伙伴，双方在NAND领域是共享技术的，他们的BiCS闪存去年开始量产，目前的堆栈层数是48层，MLC类型的核心容量128Gb，TLC类型的容量可达256Gb，预计会在日本四日市的Fab 2工厂规模量产，2016年可以大量出货了。SK Hynix：闷声发财的3D NAND在这几家NAND厂商中，SK Hynix的3D NAND最为低调，相关报道很少，以致于找不到多少SK Hynix的3D NAND闪存资料，不过从官网公布的信息来看，SK Hynix的3D NAND闪存已经发展了3代了，2014年Q4推出的第一代，2015年Q3季度推出的第二代，去年Q4推出的则是第三代3D NAND闪存，只不过前面三代产品主要面向eMCC 5.0/5.1、UFS 2.0等移动市场，今年推出的第四代3D NAND闪存则会针对UFS 2.1、SATA及PCI-E产品市场。SK Hynix的3D NAND闪存堆栈层数从36层起步，不过真正量产的是48层堆栈的3D NAND闪存，MLC类型的容量128Gb，TLC类型的也可以做到256Gb容量。Intel/美光：容量最高的3D NAND闪存这几家厂商中，Intel、美光的3D NAND闪存来的最晚，去年才算正式亮相，不过好菜不怕晚，虽然进度上落后了点，但IMFT的3D NAND有很多独特之处，首先是他们的3D NAND第一款采用FG浮栅极技术量产的，所以在成本及容量上更有优势，其MLC类型闪存核心容量就有256Gb，而TLC闪存则可以做到384Gb，是目前TLC类型3D NAND闪存中容量最大的。美光、Intel的3D NAND容量密度是最高的384Gb容量还不终点，今年的ISSCC大会上美光还公布了容量高达768Gb的3D NAND闪存论文，虽然短时间可能不会量产，但已经给人带来了希望。Intel的杀手锏：3D XPoint闪存IMFT在3D NAND闪存上进展缓慢已经引起了Intel的不满，虽然双方表面上还很和谐，但不论是16nm闪存还是3D闪存，Intel跟美光似乎都有分歧，最明显的例子就是Intel都开始采纳友商的闪存供应了，最近发布的540s系列硬盘就用了SK Hynix的16nm TLC闪存，没有用IMFT的。Intel、美光不合的证据还有最明显的例子——那就是Intel甩开美光在中国大连投资55亿升级晶圆厂，准备量产新一代闪存，很可能就是3D XPoint闪存，这可是Intel的杀手锏。3D XPoint闪存是Intel掌控未来NAND市场的杀手锏这个3D XPoint闪存我们之前也报道过很多了，根据Intel官方说法，3D XPoint闪存各方面都超越了目前的内存及闪存，性能是普通显存的1000倍，可靠性也是普通闪存的1000倍，容量密度是内存的10倍，而且是非易失性的，断电也不会损失数据。由于还没有上市，而且Intel对3D XPoint闪存口风很严，所以我们无法确定3D XPpoint闪存背后到底是什么，不过比较靠谱的说法是基于PCM相变存储技术，Intel本来就是做存储技术起家的，虽然现在的主业是处理器，但存储技术从来没放松，在PCM相变技术上也研究了20多年了，现在率先取得突破也不是没可能。相比目前的3D NAND闪存，3D XPoint闪存有可能革掉NAND及DRAM内存的命，因为它同时具备这两方面的优势，所以除了做各种规格的SSD硬盘之外，Intel还准备推出DIMM插槽的3D XPoint硬盘，现在还不能取代DDR内存，但未来一切皆有可能。最后再回到我们开头提到的问题上——中国大陆现在也把存储芯片作为重点来抓，武汉新芯科技（XMC）已经在武汉开工建设12英寸晶圆厂，第一个目标就是NAND闪存，而且是直接切入3D NAND闪存，他们的3D NAND技术来源于飞索半导体（Spansion），而后者又是1993年AMD和富士通把双方的NOR闪存部门合并而来，后来他们又被赛普拉斯半导体以40亿美元的价格收购。2015年新芯科技与飞索半导体达成了合作协议，双方合作研发、生产3D NAND闪存，主要以后者的MirrorBit闪存技术为基础。不过小编搜遍了网络也没找到多少有关MirrorBit的技术资料。这两家公司的闪存技术多是NOR领域的，3D NAND显然是比不过三星、SK Hynix及东芝等公司的，有一种说法是MirrorBit的堆栈层数只有8层，如果真是这样，相比主流的32-48层堆栈就差很远了，成本上不会有什么优势。

闪存卡的中国闪存卡的发展

中国闪存卡的发展历史就是一部寡头争夺史，自从中国数码相机市场启动后，闪存卡开始进入中国，但其价格一直居高不下，直到中国手机市场大规模更新换代，手机的扩展卡功能开始广泛应用，闪存卡才开始走进大众的视野。比较知名的企业包括San Disk、金士顿、威刚、创见等等。2007年国内闪存盘市场的洗牌已经堪称剧烈。朗科公司分别率先发动了一场大规模的降价风暴，并由此引发连锁反应，带动国内各大闪存厂商纷纷降价。既有价格体系的迅速打破给杂牌、二三线品牌带来了重创，尤其是1G容量产品跌入百元之内时，杂牌产品的价格优势几乎荡然无存。国内闪存盘品牌的数量已由数年前的上百家锐减至十余家，品牌集中度大大提高。由于闪存卡的诸多优点及闪存卡的应用领域，闪存卡已渐渐取代了传统的存储介质，成为未来存储界的主力军。主要体现在数码相机及手机其它电子存储领域.，其潜力无限，市场巨大，试想一下，由于智能手机，3G手机的不断推广普及，中国的通讯事业日渐成熟，拥有智能手机，3G手机的用户不断增加，手机专用闪存卡的需求会越来越大。未来闪存将会统领整个电子信息存储世界。

32G的TF卡哪个好

东芝 uhs1 好，32G 日本原装的sandisk 是 SD 标准的制定人，不过国内买到的 是 中国长生产的，速度 相对比较慢，sandisk 在国内买的比较多，名气大，C10级别的 有 非 UHS 的 黑色，有 UHS 标准的 红蓝色（也有2种），还有 其他更快的专业卡东芝 也是 SD标准协会的，UHS 级别的 是日本原装的，东芝日本厂是 和sandisk 合资的，可以理解为sandisk 日本版，用料 技术 做工一直是最好的。关键是 这个 他的产品 是 世界供应的，没有 为中国行情 降低标准。东芝卡 国内渠道 比较专一，价格较高（同级别 60-100快），所以用的人较少，不过用的都是懂行的人，现在 动则用3000以上的 旗舰手机 有必要用 这种好卡三星 是 TF flash 闪存最大的 产商，品质 价格 都比较优秀，uhs1 的 32G tF 有 2种，都比 sandisk国行快，不过即便是 其中最快的 专业版，速度 也只有 东芝 UHS1 32G的一半大致以写速度 看下区别东芝 38M/s 三星专业版 28M 三星UHS 18M/s sandisk 12M/s TF 卡品质 和 速度没有关系，没有 越慢的卡 越安全稳定一说，但是和flash 种类，每批的用料 有区别，不要纠结了。

中国攻克最先进128层闪存：它到底强在哪何时能跟三星掰手腕

芯片分为存储芯片和非存储芯片，其中存储芯片的种类很多，按用途可分为主存储芯片和辅助存储芯片。前者又称内存储芯片（内存），可以与CPU直接交换数据，速度快、容量小、价格高。后者为外存储芯片（外存），指除内存及缓存以外的储存芯片。此类储存芯片一般断电后仍然能保存数据，速度慢、容量大、价格低。

存储芯片中最为重要的要属DRAM（内存）和NAND flash（闪存），2018年，中国进口了3120亿美元的芯片（为中国进口金额最高的物品超过石油），其中存储芯片占集成电路进口金额的39%，达到1230.6亿美元。这1230.6亿美元的存储芯片中，高达97%的是DRAM和FLASH。

1968年，登纳德则在经过长时间研究后，终于发明了可存储少许数据、基于单晶体管设计的存储单元。此后，内存芯片的垄断从美国到日本再到如今的韩国，三星、美光以及海力士总共占据全球DRAM芯片市场份额的96% 。

而1984年东芝的舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器ULSI的概念，然而东芝并没有重视，英特尔先行将其发展起来。舛冈富士雄并不服气，在1987年又提出NAND的概念，并且和10位各具特色的同事共同研发，仅3年时间就获得成功。

如今闪存技术已经发展26年，被美日韩三国的三星、东芝、美光、海力士、英特尔五家企业垄断。

这些企业掌握了内存和闪存的定价权，随意操纵价格，2010年的时候，三星等企业非法操纵闪存价格更是遭遇欧美高价罚款。

目前，主流的闪存技术是3D NADA，3D NAND是一种新兴的闪存类型，通过把存储单元堆叠在一起来解决2D或平面NAND闪存带来的限制。

普通的NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子变多了，理论上来讲可以无限堆叠。

层数的增加也就意味着对工艺、材料的要求会提高。而且在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度却在缩小。

每升级一次堆栈厚度都会变成原来的1.8倍，而层厚度会变成原来的0.86倍。

在2016年前，中国在存储芯片市场为0，所以极易被国外卡脖子。这个时候，紫光集团成立了长江存储，来攻克闪存技术。

从2016年开始努力，到2017年11月，紫光集团花费了10亿美元，整整1000人的研发团队花费2年时间研发成功首款国产32层3D NAND存储芯片。这标志着中国存储芯片实现了0的起步。

2019年5月，紫光成功研发了64层堆栈闪存芯片，与三星的96层堆栈只有1代的差距，要知道，2018年64层堆栈3D NAND闪存才大规模量产。

三星、东芝等闪存大厂按照产品规划，在2020年将量产128层堆栈闪存，紫光却跳过了96层的研发，直接攻关128层闪存。

2020年4月13日，长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证，领先了三星等企业。

长江存储X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。

此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），单颗容量512Gb(64GB)，以满足不同应用场景的需求。

根据Techinsihts的3D闪存路线图及厂商的资料，三星的110+层（有128、136不同水平的）3D闪存核心容量可以做到QLC 1Tb，美光的128层、SK海力士的128层、Intel的144层QLC闪存也是1Tb核心容量，东芝/西数的112层BiCS 5技术的闪存堆栈可以做到QLC 1.33Tb容量，是此前已知最高的。

从容量上来说，长江存储的X2-6070 QLC闪存与东芝/西数同级，比其他家的要高出33%。

除了容量之外，还要看性能，IO速度上X2-6070是1600Mbps，而三星的128层闪存速度是1200Mbps，西数、东芝的也是1200Mbps，其他家的IO速度没有确切数据，估计也在1200Mbps左右。

所以在IO性能上，长江存储的X2-6070闪存也是第一，这点比其他厂商是要领先的，从技术指标上来说，长江存储的X2-6070闪存是国产闪存首次进入第一梯队，而且同时在容量、密度及性能上领先，意义重大。

这也是中国首次在闪存规格上超过三星等内存大厂，标志着中国打破了美日韩在闪存市场上的定价权。

自所以紫光在闪存规格上可以和其他闪存大厂处于同一梯队，是因为紫光还自研了Xtacking结构的3D NAND闪存技术，该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。

采用Xtacking，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。

2019年，长江存储再次升级了Xtacking技术，发布了Xtacking2.0，将进一步提升进一步提升NAND吞吐速率、提升系统级存储的综合性能。

当然了，虽然我们打破了美日韩在芯片市场的定价权，但是紫光还需要提高产能才能实现自给自足，紫光的量产64层堆栈3D闪存，容量256Gb，TLC芯片，到2020年底，产能每月也才6万片，与全球闪存芯片每月产能约为130万片晶圆相比，今年内国产闪存的产能占比不过3%而已。

三星、东芝、美光等公司今年在128层级别的3D闪存上，生产进度及产能上依然是领先的，

目前，紫光要在2021年才能彻底赶上其他闪存大厂的产能，希望到时候国内企业可以支持我们自己研发的闪存芯片。

另外，紫光目前也在攻关内存芯片，除了紫光，合肥长鑫也在攻关内存芯片，合肥长鑫为了减少美国制裁威胁，它们重新设计了DRAM芯片，以尽量减少对美国原产技术的使用。

随着紫光集团和合肥长鑫的双拳齐出，中国在也不需要在存储芯片领域看西方的眼色了。在半导体领域，中国会慢慢发展，从而构建属于我们的半导体生态。